極端紫外線（EUV）露光はなぜASMLしか作れない？10社と参入余地

先端半導体の量産に使うEUV露光装置は、ASMLが供給しています。ただし、光源、鏡、マスク、保護膜、感光材、塗布・現像、欠陥検査には別の企業も関わります。

完成装置のシェアだけでは、周辺工程の事業機会を捉えきれません。

High-NAは、より細かい模様を描くために光学系を変更したEUVです。解像度の改善に加え、材料、マスク、検査を実際の工程に合わせることが導入の条件になります。

本稿では、技術の仕組み、企業の取り組み、自社の参入先を判断する方法を解説します。情報確認日：2026年9月28日。

量産利用、研究段階での検証、設備計画、開発目標は区別して記載します。

極端紫外線（EUV）露光とは、13.5nmの光で回路を描く技術

EUV露光は13.5nmの光で感光材へ模様を写す工程で、現像や加工と組み合わせて回路を作ります。 EUVは「Extreme Ultraviolet」の略で、日本語では極端紫外線と呼びます。

半導体の露光では波長13.5nmの光を使い、ウエハー上の感光材（フォトレジスト）へ回路の模様を写します。

露光では回路の原版であるマスクの像を感光材へ写し、光が当たった部分と当たらない部分に性質の差を作ります。その後、現像やエッチングなどの加工を行い、必要な形を膜へ移します。

露光しただけで配線やトランジスタが完成するわけではありません。

従来のArF液浸露光が使う光は193nmです。これに対し、EUVは、それより一桁以上短い波長を使います。

一般に、短い波長ほど、細い模様を描きやすくなります。

ただし、EUV光は空気やガラスに吸収されます。そのため、装置内を真空にし、レンズではなく鏡で光を運びます。

光源からウエハーまでの全工程が、一つの精密なシステムになります。

なぜEUV露光装置はASMLしか作れないのか

完成装置には光源・光学・制御・保守の統合が必要です。自社は担える工程から参入案を比べます。

EUV装置の量産供給には、光源、反射光学、位置制御、真空、保守を組み合わせる技術が必要です。ZEISSの技術解説も、ASMLや多数の協力企業との長期開発を紹介しています。

一つの部品や特許だけで完成装置の供給体制を説明することはできません。

EUV光は、スズの液滴へレーザーを当てて作ります。TRUMPFの説明では毎秒5万個の液滴を使い、まず前パルスで液滴を広げ、次に主パルスでプラズマを発生させます。

得られたEUV光を反射光学系で集め、マスクとウエハーへ導きます。

この鏡には、原子に近い単位の精度が必要です。しかも、光を一度反射するたびに損失も出ます。

そのため、装置は、光源、鏡、マスク、ウエハーの位置を高速で合わせ続けなければなりません。

ASMLは光源・光学系・ステージ・制御を統合し、顧客工場で装置を安定して動かすための保守や改善も担います。部品の性能を足し合わせるだけでなく、装置全体として所定の精度と処理量を保つ必要があります。

後発企業が完成装置を開発するには、多額の設備投資、専門人材、知財、量産評価の体制が必要です。新規事業を考える際は、完成装置と同じ範囲を担う案だけでなく、自社の技術で特定工程の課題を解く案も比較します。

半導体製造装置の中でEUVが担う役割

露光だけでは回路は完成しません。材料、塗布・現像、加工、検査までが評価対象です。

半導体製造装置は、回路を描く装置だけではありません。成膜、露光、現像、エッチング、洗浄、検査、計測など、多数の装置で構成されます。

EUV露光装置は、そのうち「どこへ回路を作るか」を決めます。ただし、実際の線は、感光材の塗布と現像、膜の加工まで終えて初めて残ります。

露光装置だけで半導体は作れません。

周辺工程には東京エレクトロン、Lam Research、レーザーテック、JSRなどが関わります。例えば感光材が高性能でも、塗布・現像・加工後に欠陥が増えれば採用しにくくなるため、材料と工程を一組で評価します。

フォトレジストの記事では、光に反応する材料の競争を整理しました。EUVでは、材料、装置、計測を同時に合わせる必要があります。

High-NA EUVは何を変えるのか

High-NAは細かく描ける一方、焦点・露光範囲・材料の条件も変わります。 High-NA EUVは、光学系の開口数（NA）を従来の0.33から0.55へ高めた技術です。

NAは光学系が取り込める光の角度範囲に関わる指標で、大きくすると、より細かい模様を分けて写しやすくなります。EUVで光を導くのは透過レンズではなく鏡です。

ASMLはEXE:5200Bの光学解像度を8nmと説明しています。これは装置が模様を写す性能の仕様で、半導体の「2nm世代」などの製造プロセス名とは別の指標です。

細かい模様を一回で描けるようになれば、複数回の露光・加工を減らす余地があります。

一方、NAが上がると焦点が合う深さが浅くなるため、感光膜の厚さや表面の凹凸を厳しく管理します。また、現行の6インチマスクを使うHigh-NAでは一回の露光範囲が従来の半分になります。

範囲内に収める設計と、大きなダイで複数の像をつなぐ設計では、確認する制約が異なります。

High-NAの採否は、解像度だけでなく、工程数、欠陥、処理量、マスクや材料の費用で比較します。2026年9月のASML・TSMC発表では、大型の12インチマスクへの移行に向け、2031年の試作ラインと2033年の生産対応を目標にしています。

これは将来計画で、現行装置の露光範囲がすでに変わったという意味ではありません。

High-NA EUVは研究設備から量産工程へ進んだ

Intelの部分的な量産実績と、他社の導入計画を分け、対象製品と評価時期を絞ります。 2026年7月、ASMLはIntel 18Aの一部工程でHigh-NAを使った量産出荷を公表しました。

対象はCore Ultra Series 3の一部製品で、従来のNXE装置を用いる工程と同等の歩留まりと説明しています。対象製品・工程を限定した公表実績として読みます。

続く2026年9月8日のIntel・ASML発表では、High-NAで処理したウエハーが100万枚を超えたとしています。これは認定試験・研究開発・一部の量産を合計した累積処理枚数で、販売されたチップ100万個や、量産ウエハーだけの枚数ではありません。

一部で量産利用が始まっていても、導入の時期と対象はメーカーごとに異なります。2026年9月の各発表を並べると、実績と予定の違いが分かります。

この違いから、部材・装置企業は「High-NA向け」という一括りではなく、顧客、製品世代、対象工程、評価時期を絞る必要があります。追加の材料・検査費を含めて、現行工程より良品当たり費用を下げられるかを確認します。

供給網は六つの層でつながる

完成装置から材料・検査までの担当工程を見渡し、自社に足りない評価機能を確認します。 EUVの供給網は、六つの層に分けると見通しが良くなります。

完成装置、光源・光学、マスク、保護・検査、感光材、塗布・現像です。

たとえば、ASMLは完成装置を統合します。また、ZEISSとTRUMPFは、光を作り、正確に運びます。

さらに、AGCや三井化学は、マスクの土台と保護膜を支えます。

レーザーテックは、マスクの欠陥をEUV光で調べます。また、JSRとLam Researchは、新しい感光材と形成方法を開発します。

そして、東京エレクトロンは、塗布と現像を露光工程へつなぎます。

この構造では、競合だけを見ると判断を誤ります。隣の工程を担う企業が、評価先や販売協力先になるからです。

EUVを支える10の企業・機関を工程別に比べる

企業名だけでなく、担当工程と実装の段階を見て、提携・評価先を選びます。 次の表は、装置・材料・検査と研究開発を担う10の企業・機関を選んだものです。

全社が一つの共同事業に参加しているという一覧ではなく、自社の技術をどの工程と一緒に評価するかを考えるための分類です。

各社の製品仕様、研究機関の評価結果、量産利用、開発計画は同じ段階ではありません。役割を押さえたうえで、以下の発表内容と、自社が次に確かめるべき条件を見比べます。

ASML、ZEISS、TRUMPFは光をどう作るか

部品の精度に加え、光の損失、熱、位置ずれを装置全体で抑えることが重要です。 TRUMPFのレーザーは、スズ液滴をプラズマに変えます。

そこから13.5nmのEUV光が出ます。しかし、発生した光の全てを回路形成に使えるわけではありません。

ZEISSは、EUV光を集め、マスクの像をウエハーへ投影する光学系を作ります。同社の説明によると、High-NAの投影光学系は4万点超の部品で約12トンあり、鏡の製造には約1年を要します。

大きな光学系の精度と、長期間の部品製造を両立する供給体制が必要になります。

ASMLは、光源、光学系、マスク、ウエハーステージ、制御ソフトを一つの装置にします。顧客工場では、装置の状態を監視し、部品交換と性能向上を続けます。

ここからの示唆は、部品単体の精度に加え、組み合わせたときの光の損失、熱、位置ずれを評価する必要があることです。新規参入企業も、隣の装置・材料の仕様と測定方法を合わせて提案します。

IntelとimecはHigh-NAを量産へどうつなぐか

装置導入、研究での検証、顧客の量産認定、購入を別々の段階として進めます。 Intelの例は、装置導入と工程評価を積み重ね、一部製品の出荷へ進んだ取り組みです。

2024年の装置統合、受け入れ試験、2026年の部分的な量産利用は別の段階として整理します。

部材企業が参考にすべき点は、新しい装置を持つこと自体ではなく、対象工程を従来方式と比較していることです。良品率、処理量、稼働率と費用を同じ条件で測り、どの製品へ使うかを決めます。

imecは共同研究の場を提供しています。公式のパターニング技術紹介では、ASML本社のあるオランダ・フェルトホーフェンでの共同ラボに続き、2026年3月にベルギー・ルーヴェンのNanoICパイロットラインへEXE:5200を設置したと説明しています。

二つは別の拠点です。

共同評価では、材料と露光・加工・検査を組み合わせた結果を得られます。ただし、研究環境での良い結果と、顧客の量産認定・購入は別です。

参加費、利用条件、サンプル、成果や知財の利用範囲を確認します。

レーザーテックはマスクの欠陥をどう見つけるか

マスク検査は、不良の検出と誤判定・検査時間を合わせて評価します。 EUVのマスクは、光を通す板ではありません。

むしろ、多層膜で光を反射する原版です。そのため、表面だけでなく、多層膜の内部にある欠陥も、ウエハーへ写る可能性があります。

レーザーテックのACTIS A300シリーズは、High-NA用と従来NA用のEUVマスクを検査し、ペリクルを付けた状態でもウエハーに転写される欠陥の検出に対応します。マスク製造時に加え、ファブでの受入検査と定期的な品質確認が用途です。

事業上の価値は、検査画像を得るだけでなく、欠陥のあるマスクを使い続ける損失を抑えることにあります。実際の効果は、転写結果、検査時間、誤判定、交換・再検査の費用を合わせて確認します。

マスクで見つかった欠陥が、どの条件でウエハー上の不良になるかを対応づけます。検査精度だけでなく、顧客が出荷判定や保守に使える形で結果を返すことが重要です。

EUV材料・工程でJSR、Lam、東京エレクトロンが担う役割

吸光率、欠陥、処理時間は別の指標です。材料と工程を組み合わせ、良品当たり費用で比べます。

感光材は、細かく描けること、少ない光で反応すること、線や欠陥のばらつきを抑えることを両立する必要があります。高い感度だけで選ばず、現像と加工を終えた形状・欠陥・処理量まで評価します。

JSRの子会社Inpriaは、金属酸化物レジスト（MOR）を開発しています。2025年9月にはLam Researchとクロスライセンス・材料開発で協業し、2026年5月にはEntegrisと特許の相互利用で合意しました。

後者では、レジスト設計、原料、ろ過・供給技術を対象とし、将来の協業可能性を検討しています。

Lam ResearchのAetherは乾式で感光膜を形成する技術です。同社によると、従来の炭素系感光材に対しEUV光を3〜5倍吸収します。

少ない露光量で必要な形を保てるかを、欠陥と処理時間まで含めて評価する材料になります。

2025年1月の発表では、imecが28nmピッチの配線形成を工程認定しています。使ったのは従来NAのEUVで、High-NAにも拡張可能という位置づけです。

2026年7月の研究紹介では、High-NAの単回露光とAetherを組み合わせ、20nmピッチ・線幅10nmのルテニウム配線を検証しました。後者は研究成果で、顧客工場の量産実績を示す数字ではありません。

東京エレクトロンのLITHIUS Pro DICEは、High-NAからDUVまでの塗布・現像に対応します。2026年4月の自社説明にある「ほぼ100％」は、EUV用コータ・デベロッパーのシェアで、塗布・現像工程に限った同社の説明です。

同じ東京エレクトロンの説明には、従来機に比べ、レジスト塗布に伴うウエハー欠陥と関連費用を50％以上減らせるという推計もあります。欠陥性能と薬液使用量の比較に基づく同社の見積もりです。

提案を評価する側は、何の欠陥と費用が対象かをそろえ、自社条件で測ります。

材料と装置を同じ工程条件で評価することが、これらの事例から得られる示唆です。薄い膜を作れるかだけでなく、現像・エッチング後の欠陥、必要な光量、処理時間と材料費を比較します。

AGCと三井化学はマスクをどう守るか

透過率と寿命を、交換・停止・電力の費用につなげて評価します。開発目標は実績と分けます。

AGCはEUV用マスクブランクスを、ガラス材料から成膜まで一貫して製造します。2023年4月の能力増強発表は、2024年1月から稼働し、2025年に発表当時比で約30％増とする計画でした。

現在の調達可能量を判断する際は、最新の稼働状況と納期を別途確認します。

マスクブランクスは、回路原版を作る前の土台です。熱で変形しにくく、表面が極めて平らで、欠陥がほぼないことが求められます。

三井化学は、マスクを異物から守るペリクルを供給しています。2024年5月のCNTペリクル設備計画では、透過率92％以上と1kW超の露光出力への耐性を備える製品の事業化を掲げました。

既存のシリコン系ペリクルの商業生産と、CNTを使う次世代品の計画は区別します。

さらに2026年4月のNEDO事業採択発表では、透過率95％以上、1,000Wの露光出力下でウエハー換算1万枚以上の寿命、露光時の電力消費15％以上削減を開発目標としました。寿命の条件はウエハー1枚当たり30mJ/cm²・96フィールドです。

いずれも達成実績ではなく、研究開発で目指す値です。

この目標は、透過率・耐久性・電力を一緒に評価する必要性を示しています。新規事業でも、膜の性能だけでなく、交換頻度、停止時間、マスク検査、総費用にどう影響するかを確かめることが重要です。

EUV光源ではxLightの新方式も動き始めた

新しい光源の支援契約は商用稼働の証拠ではなく、建設・実証の段階を確認します。 現在のEUV光源は、装置ごとにスズのプラズマを作ります。

xLightは、自由電子レーザーで大きな光源を作り、複数装置へ光を配る構想を進めています。

xLightは2026年6月2日に1億5,000万米ドルのCHIPS支援契約を締結したと発表しました。対象は初号自由電子レーザーの建設・実証です。

最大16台の露光装置へ光を供給する構想を説明していますが、16台への商用供給が実現したという発表ではありません。

この取り組みは、光源を個々の装置に組み込むだけでなく、工場の共通設備として供給する事業を考える例です。採算を判断するには、出力と電力、複数装置への安定供給、停止時の影響、保守費用を実機で評価する必要があります。

自社はEUV周辺のどこへ入れるか

計測、材料、真空、データから近い入口を確認します。

01　真空・洗浄・センサーに強い

汚染の兆候を捉え、装置停止を短くする入口があります。

• 真空中で連続測定できる
• 誤報率と検出下限を測れる
• 既存装置の保守手順へ入れられる

02　膜・炭素材料に強い

マスクとペリクルの寿命を延ばす入口があります。

• 透過率と耐熱を両立できる
• 欠陥の少ない量産膜を作れる
• 検査企業と寿命を評価できる

03　感光材・表面処理に強い

材料と塗布、現像、加工を一つの工程で提案できます。

• High-NA実機で評価できる
• 欠陥密度と処理量を測れる
• 装置企業と条件を固定できる

04　画像解析・生産データに強い

焦点、重ね合わせ、欠陥を工程間で戻す入口があります。

• 顧客機密を分離できる
• 別製品でも改善が再現する
• 停止・廃棄の削減額を示せる

日本企業が狙える四つの参入方法

汚染監視、寿命管理、材料・工程、データ活用から、顧客が費用を払う改善を具体化します。 完成装置を自社開発しなくても、精密計測、材料、洗浄、真空、熱制御、生産技術から周辺事業を検討できます。

以下の四つは参入案であり、すでに収益性が確認された事業を示すものではありません。

次の表では、四つの参入方法を、支払者、価値、提携先、最初の証拠で比べます。自社技術に近い方法から読み進めてください。

まずは、保有資産に近い一行を選びます。そのうえで、支払者と評価先へ届く提携関係を作れるかを確かめます。

汚染と停止の予兆検知

汚染の監視では、対象工程で問題になる物質と、その発生・付着条件を先に特定します。真空中の成分、光量、温度などのデータから異常を検出し、どの保守判断に使えるかを顧客と検証します。

検出精度に加え、予定外停止、交換部品、検査工数をどれだけ減らせるかで価値を示します。誤報で装置を止める損失や、異常を見逃す損失も比較に入れます。

マスクとペリクルの寿命管理

ペリクルは、マスク上の異物がウエハーへ写るのを防ぎます。一方で、EUV光を一部吸収し、高出力化で熱を持ちます。

膜の性能と検査履歴・露光履歴を結び、交換時期を予測するサービスも検討できます。ただし、十分な寿命データと利用権限が必要です。

顧客の交換基準を変えるには、不良リスクを増やさないことを示します。

感光材と工程の共同最適化

High-NAでは浅い焦点深度に合わせ、薄い感光膜で形を保つ工夫が必要です。材料、塗布、現像、エッチングを組み合わせ、線の倒れや欠けなどの不良がどの条件で起きるかを測ります。

参入企業は、一つの材料を売るのではなく、装置条件と測定方法を含む工程として提案します。共同研究拠点で評価し、顧客の標準工程へ入ることが重要です。

High-NA量産データ基盤

High-NAでは、焦点、重ね合わせ、マスク、感光材の欠陥を別々に扱えません。装置ログと検査画像を結び、どの条件が不良につながったかを追います。

製造データには顧客の機密が含まれます。保存場所、利用目的、閲覧権限、学習済みモデルの権利、契約終了後の扱いを合意し、どの工程・製品まで改善結果を使えるかを決めます。

装置停止の削減を採算へ換算する架空例

例えば汚染監視を導入し、月3時間の予定外停止を減らせると仮定します。1時間当たり回避できる損失を100万円と置くと、効果は月300万円です。

監視サービス、追加検査、誤報による停止、保守などの追加費用が月180万円なら、差し引き月120万円、年1,440万円になります。いずれも説明用の仮定で、実在工場の実績や業界平均ではありません。

初期費用が3,000万円なら、この条件が続く場合の単純回収期間は25か月です。実際には効果が出るまでの期間、税金、金利、設備更新なども確認します。

また、減った停止時間を生産や費用削減に生かせるかによって金額が変わるため、名目の稼働時間だけで採算を計算しないようにします。

参入前に注意したいリスク

評価費、認定期間、顧客集中、情報管理まで含めて、事業の負担と採算を確認します。 第一は評価環境です。

自社の測定で良い結果が出ても、顧客の露光条件で再現できるとは限りません。共同評価に必要な費用、サンプル、予約時期、成果の利用条件を先に確かめます。

第二は量産認定の負担です。材料や部品を変えると、欠陥や信頼性、処理量を再確認します。

試作の採用と量産購入を別に置き、評価費、少量生産、品質保証と、その期間の資金を事業計画へ入れます。

第三は顧客集中です。一社専用の装置・材料でも採算が成立する場合はありますが、開発延期や仕様変更の影響は大きくなります。

専用開発費の負担、最低購入量、保守期間、変更時の再評価費を確認します。

第四は輸出管理と情報管理です。機器だけでなく、ソフトウェア、技術データ、遠隔保守や国外との共同開発も対象になり得るため、提供先・用途・技術の内容を整理し、専門部門へ適用規制を確認します。

第五は性能値と採算の混同です。高い解像度や耐久性の値を、欠陥、処理量、稼働率、交換時間、良品当たり費用へつなげて比較します。

メーカーの見込みや特定条件の推計は、自社顧客での実測と分けます。

評価先を確保できない、品質責任を担えない、必要な投資を回収する見込みがない場合は、投資を抑えるか対象工程を見直します。一社専用であることや、量産データがまだないことだけを、機械的な見送り条件にはしません。

High-NA EUVへの参入をどう判断するか

改善効果だけでなく、評価・導入・運営の追加費用と、量産供給の条件をそろえて判断します。 参入判断では、技術の適合、顧客課題、評価環境、購入・認定手順、供給体制、採算を確認します。

不良や停止の削減に加え、性能向上や生産能力の拡大が価値になる場合もあります。

参入へ進む目安は、顧客が評価する工程と比較条件を合意し、現行方式に対する改善と、その提供原価を示せることです。損失額を計算できるだけでなく、採用を判断する部門と、量産供給までの手順もそろえます。

材料や計測技術はあるものの、工程全体の評価環境がないなら、研究機関、装置企業、マスク企業との共同評価を検討します。契約前に、自社が利用できる試験範囲と、得られるデータ・知財を確認します。

顧客の採用世代や導入時期が未定なら、専用設備への大型投資を先行させず、共通する検査や汚染管理の評価から始める方法があります。再判断する日と、投資へ進む条件を決めます。

要求性能を満たせない、購入先や評価先が得られない、供給責任に見合う価格を設定できない場合は、事業範囲を変えるか見送ります。研究開発を続ける判断と、量産設備へ投資する判断は分けます。

材料・装置の仕様と、どの条件で不良や費用が変わったかを示す工程データは、組み合わせて価値を生みます。顧客の権利を守り、別のロットや製品でも改善を再現できるかを確かめることが、継続採用に向けた確認点です。

よくある質問

EUVの仕組みと事業機会を検討するときに、出やすい疑問を整理します。

Q. EUVとは何の略ですか

A. Extreme Ultravioletの略です。半導体では、波長13.5nmの光を使って、ウエハー上に微細な回路を描く露光技術を指します。

Q. EUV露光装置はなぜASMLしか作れないのですか

A. 光源、反射光学、超精密ステージ、制御、保守を量産用システムに統合する難しさがあります。ASMLはZEISS、TRUMPFなどとの連携を通じて技術と量産運用を積み重ねています。

Q. High-NA EUVと従来EUVの違いは何ですか

A. 開口数が0.33から0.55へ上がり、より細い模様を一回で描きやすくなります。一方、焦点が合う深さが浅くなり、現行6インチマスクでは一回の露光範囲が半分になるため、材料、平坦化、検査、設計の確認が必要です。

Q. High-NA EUVはもう量産に使われていますか

A. はい。ASMLは2026年7月、IntelがIntel 18Aの一部工程でHigh-NA EUVを使ったと発表しました。対象製品は量産出荷されています。ただし、全ての先端工程がHigh-NAへ移ったわけではありません。

Q. 日本企業はEUV露光装置を作らないと参入できませんか

A. 完成装置以外にも参入できます。マスク、ペリクル、感光材、塗布・現像、欠陥検査、汚染管理、工程データに事業機会があります。

Q. EUV周辺の新規事業で最初に確かめることは何ですか

A. 顧客が損失を負う工程と、量産相当の評価先を確認します。次に、欠陥、停止時間、処理量、交換費用のどれを減らすか決めます。

まとめ：参入余地は装置の外側にある

最新の公表内容を段階別に読み、自社技術が顧客のどの工程を、いくら改善するかを確かめます。 EUVは、13.5nmの光で微細な回路を描く技術です。

ASMLは完成装置を統合しますが、光源、鏡、マスク、感光材、塗布・現像、検査は、多数の企業が支えています。

High-NAは開口数0.55の光学系で細かい模様を描きます。Intelでは一部製品の量産利用が公表されていますが、SamsungやTSMCの導入時期は計画として読む必要があります。

材料・検査の提案先と評価時期は、顧客の対象工程ごとに決めます。

汚染・停止の監視、マスク寿命管理、材料と工程の共同評価、製造データ活用が参入候補です。改善による効果から検査・保守・設備などの追加費用を差し引き、顧客と自社の双方で採算が合うかを確かめます。

CoWoSの記事では、露光後のダイとHBMを一つにする後工程を解説しています。チップレットの記事と合わせると、微細な回路を作る工程から、複数ダイを製品にする工程まで見通せます。

参考文献

EUVの仕様、企業の取り組み、High-NAの量産状況は、次の一次情報を中心に確認しました。

• ASML：EXE:5200Bの仕様
• ASML：Intelでの部分的な量産利用（2026年7月）
• Intel・ASML：High-NAの進捗（2026年9月）
• TSMC・ASML：導入時期と大型マスクの計画（2026年9月）
• Samsung・ASML：DRAM導入計画（2026年9月）
• ZEISS：High-NA反射光学系
• TRUMPF：EUV用レーザー
• imec：パターニング技術と評価拠点
• レーザーテック：ACTIS A300
• 東京エレクトロン：LITHIUS製品
• 東京エレクトロン：DICEの仕様と推計（2026年4月）
• JSR：Lamとのクロスライセンス・協業（2025年9月）
• JSR：Entegrisとの契約（2026年5月）
• Lam：Aether
• Lam：28nmピッチの工程認定（2025年1月）
• Lam：20nmピッチ配線の研究検証（2026年7月）
• AGC：2023年公表のマスクブランクス増強計画
• 三井化学：2024年公表のCNTペリクル設備計画
• 三井化学：NEDO採択と開発目標（2026年4月）
• xLight：初号機の建設・実証への支援契約（2026年6月）